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PJ2301_R1_000A2
P沟道增强型MOSFET
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- 描述
- 特性：RDS(ON)，VGS@-4.5V，ID@-3.1A < 100mΩ。RDS(ON)，VGS@-2.5V，ID@-2.0A < 135mΩ。RDS(ON)，VGS@-1.8V，ID@-1.1A < 190mΩ。先进的沟槽工艺技术。专为开关负载、PWM应用等设计。符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品。符合IEC61249标准的绿色模塑料（无卤）
- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJ2301_R1_000A2
- 商品编号
- C18357550
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 190mΩ@1.8V,1.1A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 43pF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 低热阻新封装
- 100%进行栅极电阻（Rg）测试