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HYG053N10NS1D
N沟道 耐压:100V 电流:95A
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- 描述
- 特性：100V/95A，导通电阻RDS(ON) = 5.2mΩ（典型值），栅源电压VGS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 提供无卤器件（符合RoHS标准）。应用：开关应用。 电机控制与驱动
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG053N10NS1D
- 商品编号
- C18236201
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.384克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 95A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 107.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.8V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.642nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 63pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.386nF |
商品概述
- 沟槽功率MOSFET-AlphaSGT™技术-同类产品中最低的RDS(ON)-低开关损耗-逻辑电平栅极驱动-符合RoHS标准且无卤
应用领域
- 同步整流-高频DC/DC转换器