- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMP32D8UFZ-7B
DMP32D8UFZ-7B
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- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP32D8UFZ-7B
- 商品编号
- C18236248
- 商品封装
- X2-DFN0606-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.080333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 290mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 350pC | |
| 输入电容(Ciss) | 17pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 8.9pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±10V |
商品概述
这款MOSFET旨在最大程度降低导通电阻 RDS(ON),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 封装高度低,最大封装高度为0.42mm
- 封装尺寸为0.62mm x 0.62mm
- 导通电阻低
- 栅极阈值电压极低,最大为 -1.0V
- 栅极具备ESD保护
- 完全无铅,完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,属于“绿色”器件
应用领域
-通用接口开关-电源管理功能-模拟开关
- YSPIT0420A-R10M
- YSPIT0420A-R22M
- YSPIT0420A-R36M
- YSPIT0420A-R40M
- YSPIT0420A-R72M
- YSPIT0420A-1R8M
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- YSPIT0520A-R16M
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- YSPIT0520A-R82M
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