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HYG015N03LS1C2
N沟道 耐压:30V 电流:130A
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- 描述
- MOSFET
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG015N03LS1C2
- 商品编号
- C18222234
- 商品封装
- PDFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.22766克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 130A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@4.5V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 33.4nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.164nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 44pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 511pF |
商品概述
CMC3606是高性能沟槽型N沟道和P沟道MOSFET，具有高单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。
商品特性
- 低导通电阻
- 改善的dv/dt能力
- 快速开关
- 符合RoHS标准
应用领域
- 同步整流
- 大电流、高速开关
- 便携式设备应用
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