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HYG012N03LR1TA
HYG012N03LR1TA
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- 描述
- MOSFET
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG012N03LR1TA
- 商品编号
- C18222235
- 商品封装
- TOLL
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.91克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 380A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.4mΩ@4.5V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 234W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 175nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.796nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 913pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.16nF |
商品特性
- 在VGS = 10V时具有低导通电阻RDS(on)
- 3.3V逻辑电平控制
- N沟道SOT23封装
- 无铅，符合RoHS标准
应用领域
- LED照明应用
- 开关
- 网络