DF2B7BSL,L3F
DF2B7BSL,L3F
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- DF2B7BSL,L3F
- 商品编号
- C1849659
- 商品封装
- SMD
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 5.5V | |
| 钳位电压 | 16V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 7.3A@8/20us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 115W@8/20us | |
| 击穿电压 | 6.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 100nA | |
| 通道数 | 单路 | |
| 工作温度 | - | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | TVS | |
| Cj-结电容 | 12pF |
商品概述
DF2B7BSL是一款瞬态电压抑制(TVS)二极管(静电放电保护二极管),用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件,防止静电和噪声干扰。 DF2B7BSL利用回滞特性,具备低动态电阻和卓越的保护性能。 该器件采用超小型封装(0.62 mm × 0.32 mm),适用于对占用空间要求较小的应用。
商品特性
- 适用于5.0V信号线。(最大反向工作电压 ≤ 5.5V)
- 凭借高性能静电放电保护功能保护器件。(静电放电抗扰度 = ±30 kV(接触/空气) @ IEC61000 - 4 - 2)
- 低动态电阻可保护半导体器件免受静电和噪声影响。(动态电阻 = 0.2 Ω(典型值))
- 回滞特性可实现低钳位电压,保护半导体器件。(钳位电压 = 11V @ 脉冲峰值电流 = 7.3 A(典型值))
- 紧凑型封装适用于移动设备等高密度电路板布局。(尺寸为0.62 mmx0.32 mm(昵称:SL2))
应用领域
- 移动设备
- 智能手机
- 平板电脑
- 笔记本电脑
- 台式电脑
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