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DF2S14P2FU,H3F
ESD 12.6V截止 峰值浪涌电流：50A@8/20us
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- 描述
- DF2S14P2FU是一款TVS二极管（ESD保护二极管），用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件，使其免受静电和噪声影响。DF2S14P2FU实现了高IPP，可保护半导体器件免受间接雷击和过渡电压（电源启动时）的影响。此外，DF2S14P2FU采用标准封装（2.5 mm×1.25 mm），适用于各种应用。
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- DF2S14P2FU,H3F
- 商品编号
- C1849713
- 商品封装
- SC-76(SOD-323)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.129克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) | |
| 反向截止电压(Vrwm) | 12.6V | |
| 钳位电压 | 32V | |
| 峰值脉冲电流(Ipp) | 50A@8/20us | |
| 峰值脉冲功率(Ppp) | 1.6kW@8/20us | |
| 击穿电压 | 15.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 反向电流(Ir) | 100nA | |
| 通道数 | 单路 | |
| 工作温度 | - | |
| 防护等级 | IEC 61000-4-2 | |
| 类型 | ESD | |
| Cj-结电容 | 270pF |
商品概述
DF2S14P2FU是一款TVS二极管（ESD保护二极管），用于保护移动设备接口及其他应用中的半导体器件，使其免受静电和噪声影响。 DF2S14P2FU实现了高IPP，可保护半导体器件免受间接雷击和过渡电压（电源启动时）的影响。 此外，DF2S14P2FU采用标准封装（2.5 mm×1.25 mm），适用于各种应用。
商品特性
- 适用于12 V信号线。（VRWM≤12.6 V）
- 凭借高ESD性能保护器件。（VESD = ±30 kV（接触/空气）@IEC61000 - 4 - 2）
- 低动态电阻可保护半导体器件免受静电和噪声影响。（RDYN = 0.08 Ω（典型值））
- 具有回滞特性，可实现低钳位电压，保护半导体器件。（VC = 28 V@IPP = 50 A（典型值））
- 紧凑封装适用于移动设备等高密度电路板布局。（2.5 mm×1.25 mm尺寸（昵称：USC））
应用领域
- 移动设备
- 智能手机
- 平板电脑
- 笔记本电脑
- 台式电脑
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单