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ZSPM9000AI1R

ZSPM9000 高性能同步降压 DrMOS

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描述: ZSPM9000 DrMOS 是一种完全优化的、超紧凑的集成 MOSFET 加驱动器的电源管理解决方案,适用于高电流、高频同步降压 DC-DC 应用。该设备集成了一个驱动器 IC、两个功率 MOSFET 和一个自举肖特基二极管,采用热增强的 6mm x 6mm PQFN40 封装。
品牌名称: RENESAS(瑞萨)/IDT
商品型号: ZSPM9000AI1R
商品编号: C1848729
商品封装: PQFN-40(6x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.001克(g)

商品参数

商品概述

ZSPM9000 DrMOS是一款针对大电流、高频同步降压式直流-直流应用的完全优化、超紧凑的集成式MOSFET加驱动器功率级解决方案。该器件在热增强型超紧凑6mmx6mm PQFN40封装中集成了一颗驱动器IC、两个功率MOSFET和一个自举肖特基二极管。通过集成化设计，ZSPM9000完整的开关功率级针对驱动器和MOSFET动态性能、系统电感以及功率MOSFET的RDS(ON)进行了优化。它采用了创新的高性能MOSFET技术，显著减少了开关振铃，在大多数降压转换器应用中无需使用缓冲电路。一款具有更短死区时间和传播延迟的创新型驱动器IC进一步提升了性能。内部的12V至5V线性稳压器使ZSPM9000能够由单一12V电源供电。热警告功能(THWN)可对潜在的过热情况发出警告。ZSPM9000还具备诸如用于提高轻载效率的跳跃模式(SMOD)，以及用于兼容各种脉宽调制(PWM)控制器的三态3.3V脉宽调制(PWM)输入等特性。 ZSPM9000 DrMOS与IDT的ZSPM1000理想兼容，后者是一款用于非隔离负载点(POL)电源的前沿可配置数字电源管理系统控制器。

商品特性

基于Inte 4.0 DrMOS标准
内部12V至5V线性稳压器(LDO)
大电流处理能力：高达50A
高性能铜夹封装
三态3.3V PWM输入驱动器
跳跃模式(低端栅极关断)输入(SMOD#)
过热情况警告标志
驱动器输出禁用功能(DISB#引脚)
分别为SMOD#和DISB#输入提供内部上拉和下拉电阻
低端MOSFET集成肖特基二极管技术
集成自举肖特基二极管
自适应栅极驱动时序，用于防直通保护
欠压锁定(UVLO)
针对高达1MHz的开关频率进行了优化

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	属性	参数值
	商品目录	DC-DC电源芯片
	功能类型	降压型
	工作电压	8V~15V
	输出电压	-
	输出电流	50A
	开关频率	300kHz~1MHz
	工作温度	-40℃~+125℃

	属性	参数值
	同步整流	是
	输出通道数	1
	拓扑结构	降压式
	静态电流(Iq)	5mA
	开关管(内置/外置)	内置
	输出类型	-