温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HM2324E-VB
1个N沟道 耐压:100V 电流:2A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；这是一款单N型场效应管，适用于多种应用场景。采用Trench技术，提供了更好的性能和可靠性。可在不同领域和模块中的广泛应用。SOT23；N—Channel沟道,100V；2A；RDS(ON)=240mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~2.8V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- HM2324E-VB
- 商品编号
- C18212589
- 商品封装
- SOT-23(TO-236)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.038095克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 260mΩ@4.5V,0.5A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V@0.25mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 190pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 13pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 22pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交1单