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NCE2014ES-VB
1个N沟道 耐压:20V 电流:15A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单体N沟道MOSFET，采用Trench工艺，适用于需要高效能和高性能的应用场合。SOP8；N—Channel沟道,20V；20A；RDS(ON)=4.9mΩ@VGS=4.5V,VGS=16V；Vth=1~2.1V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- NCE2014ES-VB
- 商品编号
- C18212553
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.11克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 6mΩ@4.5V |