SL3423
1个P沟道 耐压:20V 电流:4A
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- 描述
- 特性:超低栅极电荷。 有环保型产品。 出色的CdV/dt效应衰减。 先进的高单元密度沟槽技术
- 品牌名称
- Slkor(萨科微)
- 商品型号
- SL3423
- 商品编号
- C18208583
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033633克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 289pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 98pF |
商品概述
60R650系列采用先进的MOSFET技术,具备低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件适用于有源功率因数校正和开关模式电源应用。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 出色的CdV/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术
应用领域
- 电源
- 功率因数校正(PFC)
- 开关应用
