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SL11N65CF1
1个N沟道 耐压:650V 电流:11A
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- 描述
- 这款功率 MOSFET 采用 Slkor 先进的超结技术生产。这项先进技术经过特别定制，可最大限度地降低导通损耗，提供卓越的开关性能，并能够承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。这些器件非常适合在开关模式下进行交流/直流电源转换，从而实现更高的效率。
- 品牌名称
- Slkor(萨科微)
- 商品型号
- SL11N65CF1
- 商品编号
- C18208655
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.51克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@10V,4.0A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 116nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.11nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 328pF |
商品概述
这款P沟道增强型功率MOSFET采用平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。
商品特性
- VDS(V) = -60 V
- ID = -47 A
- RDS(ON) = 26 mΩ（VGS = -10 V）
- 低栅极电荷（典型值84 nC）
- 低Crss（典型值320 pF）
- 100%经过雪崩测试
- 最高结温额定值为175°C