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IXTN170P10P实物图
  • IXTN170P10P商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IXTN170P10P

P沟道增强型功率MOSFET

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描述
特性:国际标准封装-miniBLOC,采用氮化铝隔离。 坚固的 PolarPTM 工艺。 高电流处理能力。 快速本征二极管。 雪崩额定。 低封装电感。应用:高端开关。 推挽放大器
品牌名称
Littelfuse/IXYS
商品型号
IXTN170P10P
商品编号
C18199812
商品封装
SOT-227-4​
包装方式
管装
商品毛重
41克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)170A
导通电阻(RDS(on))14mΩ@10V
耗散功率(Pd)890W
阈值电压(Vgs(th))4V@1mA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)240nC@10V
输入电容(Ciss)12.6nF
反向传输电容(Crss)32pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)4.19nF

商品特性

  • 国际标准封装
  • miniBLOC,带氮化铝隔离
  • 耐用的Polar P™工艺
  • 高电流处理能力
  • 快速本征二极管
  • 雪崩额定
  • 低封装电感
  • 易于安装
  • 节省空间
  • 高功率密度

应用领域

  • 高端开关
  • 推挽放大器
  • 直流斩波器
  • 自动测试设备
  • 电流调节器

数据手册PDF