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2N7002T
1个N沟道 耐压:60V 电流:0.2A
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- 描述
- 先进沟槽单元设计 高速开关
- 品牌名称
- BORN(伯恩半导体)
- 商品型号
- 2N7002T
- 商品编号
- C18199557
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027533克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 225mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- VDS = 60V
- ID = 0.2A
- 在VGS = 10V时,RDS(ON)最大值为3Ω
- 在VGS = 4.5V时,RDS(ON)最大值为4Ω
应用领域
- 便携式设备
- 负载开关设备
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