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BM3134KE
1个N沟道 耐压:20V 电流:0.75A
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- 描述
- 无铅产品采用先进的沟槽工艺技术，高密度单元设计实现超低导通电阻，采用SOT - 723表面贴装封装。
- 品牌名称
- BORN(伯恩半导体)
- 商品型号
- BM3134KE
- 商品编号
- C18199558
- 商品封装
- SOT-723
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0111克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 750mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 120pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
商品概述
对于所有功率耗散水平约达50 W的商业-工业应用，TO-220封装是普遍首选。
商品特性
- VDS = 20V
- ID = 0.75A
- 在VGS = 4.5V时,RDS(ON)最大值为380mΩ
- 在VGS = 2.5V时,RDS(ON)最大值为450mΩ
- 在VGS = 1.8V时,RDS(ON)最大值为800mΩ
应用领域
-负载/电源开关-接口开关-超小型便携式电子设备的电池管理-逻辑电平转换