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SI9942DY-T1-E3-JSM
1个N沟道+1个P沟道 耐压:40V 电流:7A
- 描述
- 高密度电池设计，可实现极低的RDS。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- SI9942DY-T1-E3-JSM
- 商品编号
- C18193856
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 520pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 112pF |
商品概述
HM4606采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于形成电平转换的高端开关，以及其他多种应用。
商品特性
- N沟道
- 漏源电压VDS = 40V，漏极电流ID = 8.0A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 22mΩ
- 当栅源电压VGS = 4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 31mΩ
- P沟道
- 漏源电压VDS = -40V，漏极电流ID = -7.0A
- 当栅源电压VGS = -10V时，导通电阻RDS(ON) < 35mΩ
- 当栅源电压VGS = -4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 48mΩ
- 高功率和电流承载能力
- 产品无铅
- 表面贴装封装