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JSM2321A
-30V P沟道增强型MOSFET
- 描述
- JSM2321A是P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度先进沟槽技术制造，可实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于作为负载开关，或用于大多数同步降压转换器应用的脉宽调制（PWM）和栅极电荷电路。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- JSM2321A
- 商品编号
- C18193120
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035109克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 105pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 272pF |
商品概述
JSM2321A是一款P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度先进沟槽技术制造，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。 该器件适用于大多数同步降压转换器应用中的负载开关、PWM和栅极电荷应用。 P沟道
商品特性
- -30V/-5.6A,RDS(ON) = 37mΩ(典型值)@VGS = -10V
- -30V/-4.3A,RDS(ON) = 52mΩ(典型值)@VGS=-4.5V
- 为极低的 \mathsfRDS(ON) 进行超高设计
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 完全符合RoHS标准
- SOT23-3L封装设计
应用领域
-高频负载点同步-用于MB/NB/UMPC/VGA的降压转换器-DC/DC转换器-负载开关
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