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JSM2321A
-30V P沟道增强型MOSFET
- 描述
- JSM2321A是P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度先进沟槽技术制造，可实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。该器件适用于作为负载开关，或用于大多数同步降压转换器应用的脉宽调制（PWM）和栅极电荷电路。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- JSM2321A
- 商品编号
- C18193120
- 商品封装
- SOT-23-3L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035109克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 105pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 272pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交4单
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