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IRFR2908TRPBF-JSM
1个N沟道 耐压:100V 电流:36A
- 描述
- 专为中高压环境下消费电子设备的电源管理而设计，实现高效、稳定的开关控制，是优化系统性能的理想半导体元件。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- IRFR2908TRPBF-JSM
- 商品编号
- C18192970
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 36A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 26mΩ@4.5V,7A | |
| 耗散功率(Pd) | 71W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽工艺和设计，在低栅极电荷的情况下仍具有出色的导通电阻RDS(on)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 30V，漏极电流ID = 55A，当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 10mΩ
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽工艺，实现超低导通电阻RDS(ON)
- 封装形式利于良好散热
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