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TPC8213-JSM
2个N沟道 耐压:60V 电流:6.3A
- 描述
- 适用于高效率电源转换和负载开关应用，紧凑结构与强大性能结合，提供卓越的双通道功率控制解决方案。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- TPC8213-JSM
- 商品编号
- C18191678
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 520pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 105pF |
商品概述
STS3415是采用高单元密度先进沟槽技术制造的P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低电压应用，以及需要在超小外形表面贴装封装中实现低在线功率损耗的场景。
商品特性
- -30V / -4.3A，RDS(ON) = 44mΩ（典型值）@ VGS = -10V
- -30V / -3.5A，RDS(ON) = 50mΩ（典型值）@ VGS = -4.5V
- -30V / -2.5A，RDS(ON) = 65mΩ（典型值）@ VGS = -2.5V
- 超高压设计，实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 完全符合RoHS标准
- SOT23-3封装设计
应用领域
- 电源管理-便携式设备-DC/DC转换器-负载开关-数码相机-LCD显示器逆变器