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TPC8030-JSM
1个N沟道 耐压:30V 电流:12A
- 描述
- 适用于一般开关和低压电源电路、电流能力强、导通电阻低。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- TPC8030-JSM
- 商品编号
- C18191663
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@4.5V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.11nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 180pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在栅极电荷较低的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS）= 30V，漏极电流（ID）= 12A，在栅源电压（VGS）= 10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)）< 8mΩ
- 栅极电荷低。
- 有环保型器件可供选择。
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低漏源导通电阻（RDS(on)）。
- 封装散热性能良好。