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CES2331-JSM
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.3A
- 描述
- 广泛应用于电源转换、负载开关控制及电池管理系统，实现卓越的功率密度与效率表现。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- CES2331-JSM
- 商品编号
- C18190572
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 78mΩ@2.5V,2.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 672pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 102pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 280pF |
商品概述
CES2331是一款P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的先进沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，以及在超小外形的表面贴装封装中需要低在线功率损耗的场景。
商品特性
- -30V/-4.3A，栅源电压（VGS）=-10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)）=44mΩ（典型值）
- -30V/-3.5A，栅源电压（VGS）=-4.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)）=50mΩ（典型值）
- -30V/-2.5A，栅源电压（VGS）=-2.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)）=65mΩ（典型值）
- 专为极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）设计
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 完全符合RoHS标准
- SOT23-3封装设计
应用领域
- 电源管理
- 便携式设备
- DC/DC转换器
- 负载开关
- 数码相机
- LCD显示器逆变器