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DMG2301U-JSM
1个P沟道 耐压:20V 电流:4.2A
- 描述
- 应用于便携式设备负载开关、DC/DC转换器。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- DMG2301U-JSM
- 商品编号
- C18190609
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.057克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V,4.0A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 989pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75.5pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 167pF |
商品概述
DMG2301U是P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度先进沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，并且在非常小尺寸的表面贴装封装中需要低在线功率损耗的场景。
商品特性
- -20V / -4.3A，在栅源电压 (VGS) = -4.5V 时，漏源导通电阻 (RDS(ON)) = 30mΩ（典型值）
- -20V / -3.5A，在栅源电压 (VGS) = -2.5V 时，漏源导通电阻 (RDS(ON)) = 40mΩ（典型值）
- -20V / -2.0A，在栅源电压 (VGS) = -1.8V 时，漏源导通电阻 (RDS(ON)) = 56mΩ（典型值）
- -20V / -1.0A，在栅源电压 (VGS) = -1.5V 时，漏源导通电阻 (RDS(ON)) = 85mΩ（典型值）
- 针对极低的漏源导通电阻 (RDS(ON)) 进行超高设计
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 完全符合 RoHS 标准
- SOT23-3 封装设计
- P沟道
应用领域
-电源管理-便携式设备-DC/DC 转换器-负载开关-数码相机-LCD 显示器逆变器