温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
BSP315P-JSM
1个P沟道 耐压:60V 电流:4.3A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 为高效电源开关、电池保护和负载管理应用设计，具备低导通电阻及卓越的开关性能，是各类中低压电路的理想选择，有效提升系统能效并确保稳定运行。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- BSP315P-JSM
- 商品编号
- C18190526
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.16克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 930pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 58pF |
商品概述
BSP315采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件非常适合用作负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = -60V, ID = -4.3A
- RDS(ON) < 120 m Ω @ VGS = -10 V
- RDS(ON)< 170 m Ω@ VGS=-4.5 V
- 高密度单元设计,实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 散热性能良好的出色封装
应用领域
- 负载开关
- PWM应用