ADRF5345BCCZN-R7

一款采用硅工艺制造的高线性、反射型单刀四掷（SP4T）开关。 工作频率范围为1.8 GHz至3.8 GHz，典型插入损耗低于0.40 dB，典型输入三阶交调截点（IP3）为84 dBm。对于连续波信号，其射频输入功率处理能力为39 dBm；对于长期演进（LTE）信号，平均功率处理能力为39 dBm，峰值功率处理能力为49 dBm。 集成了负电压发生器（NVG），可通过在VDD引脚施加5 V（VDD）单正电源工作，电源电流为2 mA。采用与低压互补金属氧化物半导体（LVCMOS）/低压晶体管 - 晶体管逻辑（LVTTL）兼容的控制方式。 采用4 mm × 4 mm、22引脚、符合RoHS标准的焊盘网格阵列（LGA）封装，工作温度范围为 -40℃至 +105℃。

• 反射型设计
• 低插入损耗
  • 典型值：在2.8 GHz时为0.35 dB
  • 典型值：在3.8 GHz时为0.40 dB
• 在TCASE = 105℃时具有高功率处理能力
  • 长期（>10年）平均
  • 连续波功率：39 dBm
  • LTE信号
    • 平均功率：39 dBm
    • 峰值功率：49 dBm
• 高输入线性度，典型IP3为84 dBm
• 静电放电（ESD）等级
  • 人体模型（HBM）：2000 V，2类
  • 带电器件模型（CDM）：1000 V，C3类
• 单电源工作，集成NVG
• 正控制，与LVCMOS/LVTTL兼容
• 4 mm x 4 mm、22引脚LGA封装

• 5G天线倾角调整
• 无线基础设施
• 测试设备
• 替代PIN二极管