温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AGM12N10AP
1个N沟道 耐压:100V 电流:55A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- AGM12N10AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM12N10AP
- 商品编号
- C17701055
- 商品封装
- PDFN3.3x3.3-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.078克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.3mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.08nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 460pF |
商品概述
B11G1822N60D是一款采用安谱隆（Ampleon）先进LDMOS技术的双路2级完全集成式多尔蒂（Doherty）单片微波集成电路（MMIC）解决方案。每一路均集成了载波和峰值器件、输入功分器、输出合路器和预匹配电路。这款多频段器件非常适合作为1800 MHz至2200 MHz频率范围内的通用驱动器。采用PQFN封装。
商品特性
- 集成输入功分器
- 集成输出合路器
- 由于集成预匹配电路，输出阻抗为20 Ω
- 高线性度
- 专为大射频和瞬时带宽操作而设计
- 载波和峰值偏置独立控制
- 集成偏置栅极开关
- 集成静电放电（ESD）保护
- 源阻抗50 Ω；高功率增益
应用领域
- 宏基站驱动器
- 微基站
- 5G大规模多输入多输出（mMIMO）
- 宽带码分多址（W-CDMA）/长期演进（LTE）
- 有源天线
- 通用应用