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AGM12T08C
1个N沟道 耐压:120V 电流:78A
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- 描述
- AGM12T08C将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM12T08C
- 商品编号
- C17701057
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.764克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 120V | |
| 连续漏极电流(Id) | 78A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.7mΩ@10V；7mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 96W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.936nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 770pF |
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