温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AGM3416E
1个N沟道 耐压:19.5V 电流:6.5A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- AGM3416E将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 品牌名称
- AGMSEMI(芯控源)
- 商品型号
- AGM3416E
- 商品编号
- C17701042
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.043克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 19.5V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 700mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 854pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 150pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 10 个)个
起订量：10 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交3单