- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
VBT3060G-E3/8W
双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- VBT3060G-E3/8W
- 商品编号
- C17696749
- 商品封装
- TO-263AB(D2PAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.832克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 肖特基二极管 | |
| 二极管配置 | 1对共阴极 | |
| 正向压降(Vf) | 730mV@15A | |
| 直流反向耐压(Vr) | 60V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 整流电流 | 15A | |
| 工作结温范围 | -55℃~+150℃ | |
| 非重复峰值浪涌电流 (Ifsm) | 150A |
商品概述
双高压沟槽MOS势垒肖特基整流器，在IF = 5A时，超低压VF = 0.40V
商品特性
- 沟槽MOS肖特基技术
- 低正向压降，低功率损耗，高效运行
- 符合J - STD - 020的MSL 1级，LF最大峰值为245°C（适用于D2PAK (TO - 263AB)封装）
- 不建议用于PCB底面波峰焊
- 按照JESD 22 - B106，焊浴温度最高275°C，持续10s（适用于TO - 220AB、ITO - 220AB和TO - 262AA封装）
应用领域
用于高频逆变器、开关电源、续流二极管、或门二极管、DC/DC转换器和反接电池保护
- HCPL-5120-300
- MTG0200J
- XPEBWT-H1-0000-00AZ6
- SG-8018CG 28.2280M-TJHPA0
- 637-M26-632-BN1
- SIT8208AC-8F-28S-30.000000Y
- RC0603F1150CS
- GCM1555G1H471GA16J
- SIT8208AI-8F-28S-66.666000X
- 4379-682KS
- SIT8208AI-8F-33E-33.330000X
- DF13C-8P-1.25V(76)
- EVAL-10MSOPEBZ
- MLESWT-A1-0000-0004DZ
- KBP4MI_T0_00101
- SIT8208AI-G2-28E-16.367667Y
- 0875685094
- XPGBWT-H1-R250-00CZ8
- EAPL2835WB4
- CTSPI3D12F-1R0N
- CRBV55CL-0902-0928