VF10150S-E3/4W

高压沟槽MOS势垒肖特基整流器，在IF = 5 A时，超低压VF = 0.59 V，采用TMBS技术，有D²PAK (TO - 263AB)和TO - 262AA封装形式。

• 沟槽MOS肖特基技术
• 低正向压降，低功率损耗，高效运行
• 符合J - STD - 020的MSL 1级标准，TO - 263AB封装的LF最大峰值为245℃
• 符合JESD 22 - B106标准，TO - 220AB、ITO - 220AB和TO - 262AA封装的焊浴温度最高275℃，持续10 s

用于高频转换器、开关电源、续流二极管、或门二极管、DC/DC转换器和反接电池保护。