商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个NPN-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | - | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 直流电流增益(hFE) | 30 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | - | |
| 最小输入电压(VI(on)) | 3V@10mA,300mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大输入电压(VI(off)) | 500mV@100uA,5V | |
| 输出电压(VO(on)) | 100mV@10mA,0.5mA | |
| 输入电阻 | 10kΩ | |
| 电阻比率 | 1 | |
| 工作温度 | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
| 特征频率(fT) | 250MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | - |
商品特性
- 内置偏置电阻，R1 = R2 = 10kΩ
- 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路
- 操作时只需设置开/关状态，使电路设计更简便
- 互补NPN类型：DTC114EE FRA
应用领域
- 反相器
- 接口
- 驱动器
- XMLDCL-H0-0000-00A4ABAE5
- FN9233ESR-10-06
- 104655-1
- 14910AABHSX10102KA
- 633V15556A2T
- ASMT-AA30-ARS00
- RM102PJ203CS
- SP1812-104G
- AMPMGFB-24.0000T
- M80-5T10442ME
- 5022-164F
- TFM-120-02-F-DH-TR
- TD-7.3728MBD-T
- GW VJLPE1.CM-KYLT-A535-1-350-R18
- XPEBWT-L1-R250-009A8
- WLSN054DZ0M6R8LB
- DD104S3200T2X
- 125-1R0-JTW
- CTSFW7050F-R76M
- SG-8018CB 130.0000M-TJHSA0
- SG-8018CE 20.356250M-TJHPA0