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KIA4820NP
1个N沟道 耐压:200V 电流:9A
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- 描述
- N沟道，200V，9A
- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KIA4820NP
- 商品编号
- C176834
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 盒装
- 商品毛重
- 3.666克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 670pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 78pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 在VGS = 10 V时,RDS(导通) = 260 mΩ
- 专有新型平面技术
- 低栅极电荷可将开关损耗降至最低
- 快速恢复体二极管
应用领域
- 阴极射线管、电视/显示器
- 其他应用