BLP05M7200Y
BLP05M7200Y
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- 品牌名称
- Ampleon(安谱隆)
- 商品型号
- BLP05M7200Y
- 商品编号
- C17693225
- 商品封装
- HSOP-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
由双硅N沟道增强型MOSFET组成，专为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计。这些MOSFET具有极低的导通电阻rDS(ON)和低阈值电压。
商品特性
- 高效率
- 出色的耐用性
- 出色的热稳定性
- 集成ESD保护
- 易于进行功率控制
- 专为ISM频段(425 MHz至450 MHz)运行而设计
- 输入集成,便于电路板设计
- 符合关于有害物质限制(RoHS)的2002/95/EC指令
应用领域
- 适用于425 MHz至450 MHz频率范围连续波应用的射频功率放大器,如ISM和射频等离子体照明。