B11G1822N60DYZ
B11G1822N60DYZ
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- 品牌名称
- Ampleon(安谱隆)
- 商品型号
- B11G1822N60DYZ
- 商品编号
- C17693425
- 商品封装
- PQFN-36(12x7)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
B11G1822N60D是一款采用安谱隆(Ampleon)先进LDMOS技术的双路2级完全集成式多尔蒂(Doherty)单片微波集成电路(MMIC)解决方案。每一路均集成了载波和峰值器件、输入功分器、输出合路器和预匹配电路。这款多频段器件非常适合作为1800 MHz至2200 MHz频率范围内的通用驱动器。采用PQFN封装。
商品特性
- 集成输入功分器
- 集成输出合路器
- 由于集成预匹配电路,输出阻抗为20 Ω
- 高线性度
- 专为大射频和瞬时带宽操作而设计
- 载波和峰值偏置独立控制
- 集成偏置栅极开关
- 集成静电放电(ESD)保护
- 源阻抗50 Ω;高功率增益
应用领域
- 宏基站驱动器
- 微基站
- 5G大规模多输入多输出(mMIMO)
- 宽带码分多址(W-CDMA)/长期演进(LTE)
- 有源天线
- 通用应用
- SIT1602BI-23-XXN-8.192000
- SPMWHT541MP7WATKS0
- 660-009B16F3-100
- 09069019985
- 25QHM572C1.0-71.901
- SIT8208AC-2F-18E-7.372800T
- 135-181-JBW
- 628-M50-323-WN6
- SIT8208AC-GF-28S-24.576000Y
- 2010211104
- 6-1375582-4
- 2005010123
- CA20C4004GLT
- SIT8208AC-G3-25E-33.333330T
- XPGWHT-P1-R250-009F8
- CBC13W3M100T0/AA
- D38999/32C17R
- 3139-0-00-34-00-00-08-0
- 633-015-363-533
- SIT9365AI-4E2-30N77.760000
- 557B071M130B

