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B11G1822N60DYZ

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品牌名称: Ampleon(安谱隆)
商品型号: B11G1822N60DYZ
商品编号: C17693425
商品封装: PQFN-36(12x7)
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

这些N沟道功率MOSFET采用创新的UltraFET®工艺制造。这种先进的制程技术可实现每单位硅片面积尽可能低的导通电阻，从而带来出色的性能。该器件能够承受雪崩模式下的高能量，且二极管的反向恢复时间和存储电荷极低。它专为对功率效率要求较高的应用而设计，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关，以及便携式和电池供电产品的电源管理。

商品特性

集成输入功分器
集成输出合路器
由于集成预匹配电路,输出阻抗为20 Ω
高线性度
专为大射频和瞬时带宽操作而设计
载波和峰值偏置独立控制
集成偏置栅极开关
集成静电放电(ESD)保护
源阻抗50 Ω;高功率增益

应用领域

宏基站驱动器
微基站
5G大规模多输入多输出(mMIMO)
宽带码分多址(W-CDMA)/长期演进(LTE)
有源天线
通用应用

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	漏源电压(Vdss)	65V
	连续漏极电流(Id)	-
	导通电阻(RDS(on))	-
	耗散功率(Pd)	-
	阈值电压(Vgs(th))	-

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	-
	输入电容(Ciss)	-
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	-
	类型	-
	输出电容(Coss)	-