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KIA4N60P
停产 1个N沟道 耐压:600V 电流:4A
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- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KIA4N60P
- 商品编号
- C176832
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.76克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.7Ω@10V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | 93W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
商品概述
KIA4N60H N沟道增强型硅栅功率MOSFET专为高压、高速功率开关应用而设计，如开关稳压器、开关转换器、螺线管、电机驱动器、继电器驱动器等。
商品特性
- 当VGS = 10 V时，RDS(ON) = 2.3 Ω
- 低栅极电荷（典型值13.5nC）
- 高耐用性
- 快速开关能力
- 规定了雪崩能量
- 改善了dv/dt能力