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DMTH6016LPD-13
2个N沟道 耐压:60V 电流:33.2A
- 描述
- 此MOSFET旨在最小化导通电阻 (RDS(ON))，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMTH6016LPD-13
- 商品编号
- C17692391
- 商品封装
- PowerDI5060-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.173克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 33.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 864pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 27pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 282pF |
商品概述
适用于多种应用的200 W LDMOS功率晶体管，如425 MHz至450 MHz频率范围内的ISM和射频等离子体照明。
商品特性
- 额定温度可达+175°C,适用于高环境温度环境
- 生产过程中进行100%非钳位电感开关(UIS)测试,确保终端应用更可靠、更耐用
- 高转换效率
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 完全无铅,完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
- 该器件符合JEDEC标准(参考AEC-Q),具备高可靠性
- 符合汽车标准的型号(DMTH6016LPDQ)有单独的数据手册
应用领域
- 发动机管理系统
- 车身控制电子设备
- DC-DC转换器
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