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KIA6N70HU
停产 1个N沟道 耐压:700V 电流:5.8A
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- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KIA6N70HU
- 商品编号
- C176825
- 商品封装
- TO-251(IPAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.587克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 95W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 650pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 95pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
这款功率MOSFET采用先进的平面条形DMOS技术制造。该先进技术经过专门设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
商品特性
- 典型RDS(on) = 1.8Ω @ VGS = 10V
- 低栅极电荷(典型值16nC)
- 高耐用性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力