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KIA4N60HU
停产 1个N沟道 耐压:600V 电流:2.8A
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- 品牌名称
- KIA
- 商品型号
- KIA4N60HU
- 商品编号
- C176821
- 商品封装
- TO-251(IPAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.587克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.7Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 93W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 500pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4.5pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 45pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品概述
KIA4N60H N沟道增强型硅栅功率MOSFET专为高压、高速功率开关应用而设计,如开关稳压器、开关转换器、螺线管、电机驱动器、继电器驱动器。
商品特性
- 在VGS = 10 V时,RDS(ON) = 2.3 Ω
- 低栅极电荷(典型值13.5nC)
- 高耐用性
- 快速开关能力
- 规定雪崩能量
- 改善dv/dt能力