MSCSM120AM16CT1AG
MSCSM120AM16CT1AG
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- MSCSM120AM16CT1AG
- 商品编号
- C17681392
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 173A | |
| 耗散功率(Pd) | 745W |
商品概述
MSCSM120AM16CT1AG是一款1200 V/173 A的碳化硅功率模块。引脚1/2、4/5、7/8必须短接在一起。除非另有说明,所有额定值均在TJ = 25 °C条件下。注意:这些器件对静电放电敏感,应遵循正确的处理程序。
商品特性
- 碳化硅功率MOSFET:低导通电阻(RDS(on)),高温性能良好
- 碳化硅肖特基二极管:零反向恢复,零正向恢复,开关行为与温度无关,正向电压(VF)具有正温度系数
- 极低的杂散电感
- 内置热敏电阻用于温度监测
- 采用氮化铝(AlN)基板以提高热性能
应用领域
焊接转换器、开关模式电源、不间断电源、电动汽车电机和牵引驱动
- HDB-26PMMP-QL8001
- RD15S10J0X
- TFM-104-02-S-D-K
- D38999/26WD97SNL
- SG-8018CB 49.6640M-TJHSA0
- GP55-9313-FBW
- 628-025-010-059
- IPBT-103-H1-T-D-GP
- 5680101110F
- AAT009-10E
- 3210-08-002-12-00
- 516-020-520-125
- IPT1-110-01-L-D-VS-A-K-TR
- GCM31CC71H475MA03K
- SIT1602AI-23-18E-12.000000
- CNY17G-2
- MWT-PH8F
- 687-103-04-14
- BC847BS_R1_00001
- SIT1602BC-83-18E-24.576000
- SIT8209AI-31-28S-200.000000

