商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV@1.0mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
-功率MOSFET-低导通电阻RDSon-低输入电容和米勒电容-低栅极电荷-快速本征二极管-雪崩能量额定-坚固耐用-开尔文源极,便于驱动-极低杂散电感-对称设计-用于功率连接的引线框架-高度集成
应用领域
- 焊接转换器
- 开关模式电源
- 不间断电源
- 电机控制
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