NTE5496
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶闸管(可控硅)/模块 | |
| 可控硅类型 | 1个单向可控硅 | |
| 断态峰值电压(Vdrm) | 600V | |
| 通态电流(It) | 25A | |
| 通态峰值电压(Vtm) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 门极触发电流(Igt) | 1.2A | |
| 门极触发电压(Vgt) | - | |
| 保持电流(Ih) | 50mA | |
| 工作温度 | -65℃~+125℃ |
商品概述
NTE5491至NTE5496是可控硅整流器,主要设计用于半波交流控制应用,如电机控制、加热控制、电源,或任何需要半波硅栅控固态器件的地方。
商品特性
- 玻璃钝化结和中心门极触发,实现更高的参数一致性和稳定性
- 阻断电压高达600伏
- 重复峰值断态阻断电压VRRM、VDRM:NTE5491为100V,NTE5492为200V,NTE5494为400V,NTE5496为600V
- 非重复峰值反向电压VRSM:NTE5491为150V,NTE5492为300V,NTE5494为500V,NTE5496为720V
- 均方根导通状态电流IT(RMS)(所有导通角)为25A
- 平均导通状态电流IT(AV)(Tc = +65°C)为16A
- 非重复峰值浪涌电流ITSM(一个周期,60Hz,前后为额定电流和电压)为150A
- 电路熔断考虑(Tj = -40°C至+125°C,t = 0至8.3ms),I²t为93A²s
- 峰值门极功率耗散PGM为5W
- 平均门极功率耗散PG(AV)为500mW
- 峰值正向门极电流IGT:NTE5491、NTE5492、NTE5494为2.0A,NTE5496为1.2A
- 工作结温范围TJ为 -65°C至+125°C
- 储存温度范围Tstg为 -65°C至+150°C
- 典型热阻,结到外壳RthJC为2°C/W
- 螺栓扭矩为30英寸·磅
- 02440000012
- ATV02-18PD-RR01
- D38999/20JJ37SB-LC
- MIC5270-4.1BM5 TS
- EA-APP-001
- SIT1602BC-11-25N-33.333300
- MDV1-37PL1
- SIT9365AI-1B1-30E74.250000
- ZSS-110-08-G-D-1155
- M83513/22-E03NN
- 09654615711
- 24-354000-10
- MDM-9PBSPTL39
- 09110013095
- 660-108NFR06-2
- 1N2129A
- SB0862
- TSP-L-0150-103-3%-RLU
- SIT1602BC-13-30E-54.000000
- B57234S0109M000
- AVT20020E1K000KE

