- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶闸管(可控硅)/模块 | |
| 可控硅类型 | 1个单向可控硅 | |
| 断态峰值电压(Vdrm) | 1.2kV | |
| 通态电流(It) | 780A | |
| 通态峰值电压(Vtm) | 1.75V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 门极触发电流(Igt) | 150mA | |
| 门极触发电压(Vgt) | 3V | |
| 保持电流(Ih) | 600mA | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
商品特性
- 重复峰值电压：NTE5590 200V，NTE5591 600V，NTE5592 1200V，NTE5597 1600V
- 非重复峰值反向阻断电压：NTE5590 300V，NTE5591 700V，NTE5592 1300V，NTE5597 1700V
- 平均通态电流：双面冷却时470A（散热片温度+55℃），单面冷却时160A（散热片温度+85℃）
- RMS通态电流：780A（双面冷却，散热片温度+25℃）
- 连续通态电流：668A（双面冷却，散热片温度+25℃）
- 峰值单周期浪涌电流：4650A（10ms持续时间）
- 非重复通态电流：5120A（10ms持续时间）
- 最大允许浪涌能量：10ms持续时间131000A2s，3ms持续时间97350A2s
- 峰值正向门极电流：19A
- 峰值正向门极电压：18V
- 峰值反向门极电压：5V
- 平均门极功率：2W
- 峰值门极功率：100W（100μs脉冲宽度）
- 断态电压上升率：200V/μs
- 通态电流上升率：重复500A/μs，非重复1000A/μs
- 工作温度范围：-40℃ 至 +125℃
- 存储温度范围：-40℃ 至 +150℃
- 热阻：结到散热片，双面冷却0.095℃/W，单面冷却0.190℃/W
- 峰值通态电压：1.75V（ITM=840A）
- 正向导通阈值电压：0.92V
- 正向导通斜率电阻：0.99mΩ
- 重复峰值断态电流：20mA
- 重复峰值反向电流：20mA
- 最大门极电流：150mA
- 最大门极电压：3V
- 最大维持电流：600mA
- 最大不触发门极电压：0.25V
- MD100RS
- 09185067904
- 25QHM53D0.5-24.960
- IXBA16N170AHV
- 4-644563-6
- TEM-110-02-03.0-H-D-L1
- MOLC-150-M1-S-Q
- JNP-QSFP-DAC-1M-HPC
- DSC1221DA2-25M00000
- GB CSHPM1.13-HZJX-35-0-350-R18
- SG-8018CG 32.2630M-TJHSA0
- 25QHM53D0.5-66.667
- 1N2799
- INN4376F-H341-TL
- SIT1602BC-82-28E-74.176000
- 0026192091
- XMLBEZ-00-0000-0D0UT530F
- HSP10F5AS
- M30-6000546
- SIT1602BC-83-25S-30.000000
- SPMWH1228FD5WATMSG