- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MSCSM120DHM31CTBL2NG
MSCSM120DHM31CTBL2NG
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- MSCSM120DHM31CTBL2NG
- 商品编号
- C17676852
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 79A | |
| 耗散功率(Pd) | 310W |
商品概述
MSCSM120DHM31CTBL2NG器件是一款1200V/79A的不对称桥接碳化硅（SiC）MOSFET功率模块。除非另有说明，所有额定值均在结温TJ = 25℃时给出。该器件对静电放电敏感，必须遵循正确的处理程序。
商品特性
- SiC功率MOSFET：低导通电阻（RDS(on)），高速开关
- SiC肖特基二极管：零反向恢复，零正向恢复，开关行为与温度无关，正向电压（VF）具有正温度系数
- 极低的杂散电感
- 超轻重量和超薄外形
- 开尔文源极，便于驱动
- 采用厚铜Si₃N₄基板，提高热性能
- 内置热敏电阻，用于温度监测
- 宽温度范围
应用领域
高可靠性电源系统、高效AC/DC和DC/AC转换器、电机控制
- PM-K25-R
- SIT1602BC-72-XXN-50.000000
- M22MP-ASF10-Y
- 647-036NF
- MLPS123M020EK0C
- 644042-5
- DF51A-28DP-2DSA(01)
- GP55-2741-FBW
- 6173.0024
- SIT1602BC-13-30N-33.300000
- SIT8920AM-23-33E-14.745600
- DM53742-5002
- AT06-2S-MM01
- SIT9365AI-4B3-28N148.351648
- NRL1503F3950B1J
- MMI-BR0-25-Y-T
- 1352-1
- 3QHM53C0.125-38.7072
- 620HB047M17
- HG302S
- PE820103