商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 385W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极电流(Ic) | 110A | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 2.25V@15V,75A | |
| 输入电容(Cies) | 4.4nF@25V | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- 沟槽+场截止IGBT 4
- 低压降
- 低漏电流
- 低开关损耗
- 低漏电流
- RBSOA和SCSOA额定
- 开尔文发射极，便于驱动
- 极低的杂散电感
- 内置热敏电阻用于温度监测
- 高频运行时性能卓越
- 可直接安装到散热器（隔离封装）
- 低结到外壳热阻
- 电源和信号引脚均可焊接，便于PCB安装
- 薄型设计
- 由于VCEsat的正温度系数，易于并联
- 每条支路可轻松并联，以实现电流能力两倍的相支路
- 符合RoHS标准
应用领域
- 焊接转换器
- 开关模式电源
- 不间断电源
- 电机控制