商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 3kW | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极电流(Ic) | 840A | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 2.2V@15V,600A | |
| 输入电容(Cies) | 37.2nF@25V | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- 沟槽+场截止IGBT 4技术
- 低压降
- 低漏电流
- 低开关损耗
- 软恢复并联二极管
- 低二极管正向压降
- 反向偏置安全工作区(RBSOA)和短路安全工作区(SCSOA)额定
- 开尔文发射极,便于驱动
- 高度集成
- M6电源连接器
应用领域
交流和直流电机控制、开关模式电源、功率因数校正
- APTGT225SK170G
- DMC-M 22-07 BA
- 09185605813
- LCW-109-08-G-S-300
- ECX-L22BN-250.000
- XG4A-1079-A
- M83723/60-118RN
- ABD420NUG
- SIT9365AI-2B1-30E74.175824
- D38999/20WE99AAL
- SIT9365AC-2E3-28N161.132813
- OHD5R-50B
- 514BBB000934AAG
- SIT8208AI-83-25S-33.000000
- 647658-2
- 660-013B17S6-21
- 7-2232001-2
- 2002772208
- 1218408-5
- 6-6609940-6
- 4590-123K

