ZXMS6008FFQ-7
60V N沟道自保护增强型智能场效应晶体管(IntelliFET MOSFET)
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- 描述
- 是一款具有逻辑电平输入的自保护低侧 IntelliFET MOSFET。它集成了过温、过流、过压(有源钳位)和 ESD 保护逻辑电平功能。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXMS6008FFQ-7
- 商品编号
- C17674394
- 商品封装
- SOT-23F
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.039648克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率电子开关 | |
| 类型 | 低侧开关 | |
| 通道数 | 1 | |
| 输入控制逻辑 | 高电平有效 | |
| 最大连续电流 | 1.1A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 3V~5.5V | |
| 导通电阻 | 700mΩ | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 特性 | 过热保护(OTP);过压保护(OVP);短路保护(SCP);过流保护(OCP) |
商品概述
紧凑型高功率耗散封装,低输入电流逻辑电平输入(支持3.3V和5V)。具备短路保护带自动重启功能,过电压保护(主动箝位),热关断带自动重启功能,过流保护,输入保护(ESD),高连续电流额定值。无铅表面处理;符合RoHS标准(注1和注2),无卤素和无锑。“绿色”器件(注3)。
ZXMS6008FFQ适用于需要特定变更控制的汽车应用,该部件已通过AEC-Q101认证,具备PPAP能力,并在IATF 16949认证的设施中制造。
DIODES ZXMS6008FFQ是一款具有逻辑电平输入的自保护低侧IntelliFET MOSFET。它集成了过温、过流、过压(主动箝位)和ESD保护的逻辑电平功能。ZXMS6008FFQ非常适合由3.3V或5V微控制器驱动的恶劣环境中的通用开关应用,这些环境中标准MOSFET不够坚固。
特别适合用于具有高浪涌电流的负载,如灯和电机。所有类型的电阻性、电感性和电容性负载在开关应用中兼容12V和24V DC应用的uC电源开关。可替代机电继电器和分立电路,在线性模式下运行时,电流限制保护电路设计为在低VDS时停用,以最小化导通状态功耗。因此,最大直流工作电流由封装/板组合的热能力决定,而不是由保护电路决定。这不会影响产品在低VDS时的自我保护能力。
封装:SOT23F 封装材料:模制塑料,“绿色”模塑化合物。UL可燃性分类评级94V-0 湿气敏感度:J-STD-020一级 引脚:哑光锡涂层 重量:约0.012克
优化用于与3.3V和5V电源工作的uc配合使用。
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘,最小起订量 1 个)个
起订量:1 个3000个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交2单
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