商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 337A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.409kW |
商品概述
MSCSM120AM08T3AG器件是一款相臂1200V、337A碳化硅(SiC)MOSFET功率模块。
商品特性
- SiC功率MOSFET
- 高速开关
- 低导通电阻(RDS(on))
- 超低损耗
- 低杂散电感
- 开尔文源极,便于驱动
- 内置热敏电阻,用于温度监测
- 采用氮化铝(AlN)基板,提高热性能
应用领域
- 感应加热和焊接
- 太阳能逆变器
- 电动汽车电机和牵引驱动
- M20057-EVB-1
- SIT8209AI-83-25E-106.250000
- M85049/83-10N03
- 5-644755-1
- 33210-100-C
- SIT9365AI-2B1-28N159.375000
- 09200035450
- 809-209-10
- 3QHM572D2.0-12.000
- LCD-11377
- SIT1602BC-32-33E-31.250000
- 7-6609940-4
- 1735817
- SIT9365AI-4E3-30E106.250000
- 148E
- D38999/24ZC8BD
- SIT1602BC-82-18S-12.000000
- CMCP1100T-05-00-00
- PDTC114EE,115
- 2352-2-01-44-00-00-07-0
- DC22.2221.111

