- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 50A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | - | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.5V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 1.9V@15V,50A | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 3.15nF@25V | |
| 输出电容(Coes) | 200pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 95pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 110ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 200ns | |
| 导通损耗(Eon) | - | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.35mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 30ns | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- Q2、Q4 CoolMOS™：超低导通电阻RDSon、低米勒电容、超低栅极电荷、雪崩能量额定
- Q1、Q3 Trench & Field Stop IGBT3：低压降、开关频率高达20kHz、RBSOA和SCSOA额定、低尾电流、极低杂散电感、具有易于驱动的开尔文源极、内置用于温度监测的热敏电阻、高度集成
- 优点：优化传导和开关损耗、可直接安装到散热器（隔离封装）、结到外壳热阻低、电源和信号端子均可焊接，便于PCB安装、低外形、由于VCEsat的正温度系数易于并联、符合RoHS标准
- DCMZ-8H8P-N-K87
- ST-JL05-16P-C2-100
- NTHS1206N02N7001KF
- 656L66934I3T
- BKT-163-01-L-V-S
- TFM-125-22-L-D-P-TR
- SG-8018CB 28.8125M-TJHSA0
- 600E005-18R6
- GCM1885C2AR91BA16D
- GCM1885C2A8R4BA16J
- TOLC-150-32-L-Q-A
- MS27656T17B26PL
- TSM32-H50CQ18ST-27.000M-TR
- 4752.6200
- 21452012
- 0705450087
- 1-147324-1
- SBH51-LPPE-D32-SP-BK
- 14311517102000
- M85049/8-54S
- SIT8208AI-31-28E-62.500000