- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
APT100GLQ65JU2
APT100GLQ65JU2
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT100GLQ65JU2
- 商品编号
- C17659862
- 商品封装
- SOT-227B-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 43.536克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 430W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V | |
| 集电极电流(Ic) | 165A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 270A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.85V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 630nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 6.1nF@25V | |
| 输出电容(Coes) | 232pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 180pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 19ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 197ns | |
| 导通损耗(Eon) | 2.4mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 2mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
ISOTOP升压斩波器高速沟槽+场截止IGBT4功率模块。集电极 - 发射极电压（VCES）为650V，集电极电流（IC）在壳温（Tc）为80°C时为100A。
商品特性
- 高速沟槽+场截止IGBT 4
- 低电压降
- 低漏电流
- 低开关损耗
- ISOTOP封装（SOT - 227），极低杂散电感
- 低传导损耗
- 温度特性稳定
- 可直接安装到散热器（隔离封装）
- 结到壳的热阻低
- 由于集电极 - 发射极饱和电压（VCEsat）的正温度系数（TC），易于并联
- 符合RoHS标准
应用领域
交流和直流电机控制、开关电源、功率因数校正、制动开关
- 3-644878-2
- ISL6146BEVAL1Z
- NTE2356
- 1N645UR-1/TR
- SIT8209AI-33-18E-150.000000
- 0469990571
- S22505T-32.000-R
- 4785.0000
- FTLF8529P5PCV
- TY-307P
- GCM1555G1H911GA16J
- SE100PWJ-M3/I
- SIT8208AC-33-28E-40.500000
- AH-ACC-SFP-10G-SR-C
- TFM-140-21-L-D-LC
- 3QHM53D4.0-35.000
- GCM1885C1H9R4BA16D
- SIT8208AI-21-28S-66.666600
- DELC-J9PAF-10L9E
- HCPL-315J
- SXO53C3A071-16.000M