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SFH619A
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 晶体管输出光耦 | |
| 输入类型 | DC | |
| 输出类型 | 光电三极管 | |
| 正向压降(Vf) | - | |
| 输出电流 | 125mA | |
| 隔离电压(Vrms) | 5kV | |
| 直流反向耐压(Vr) | 6V | |
| 负载电压 | 300V | |
| 输出通道数 | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1V@1mA,10mA | |
| 上升时间(tr) | 6.5us | |
| 下降时间 | 72us | |
| 工作温度 | -55℃~+100℃ | |
| 电流传输比(CTR)最小值 | 1000% | |
| 电流传输比(CTR)最大值/饱和值 | - | |
| 总功耗(Pd) | 200mW | |
| 正向电流(If) | 50mA |
商品概述
SFH619A采用砷化镓（GaAs）红外发射二极管发射器，与硅光电达林顿探测器进行光耦合，并采用塑料DIP - 4封装。 它具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。 该耦合器件用于两个电气隔离电路之间的信号传输。
商品特性
- 高集电极 - 发射极电压，VCEO = 300 V
- 低耦合电容
- 高共模瞬态抗扰度
- 隔离额定电压5000 VRMS
- 标准塑料DIP - 4封装
应用领域
- 电信
- 工业控制
- 电池供电设备
- 办公设备
- 可编程控制器
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