ALD114935PAL
2个N沟道 耐压:10.6V 电流:12mA 电流:3mA
- 品牌名称
- ALD
- 商品型号
- ALD114935PAL
- 商品编号
- C17646233
- 商品封装
- PDIP-8
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 10V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 540Ω@0V,0.1V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.45V@1uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.1pF | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- N沟道增强型器件
- DMOS结构
- 低电容，适用于宽带操作
- 高饱和输出功率
- 相比竞品器件，噪声系数更低
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