ALD114935PAL
2个N沟道 耐压:10.6V 电流:12mA 电流:3mA
- 品牌名称
- ALD
- 商品型号
- ALD114935PAL
- 商品编号
- C17646233
- 商品封装
- PDIP-8
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 10V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 540Ω | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.45V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 2.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.1pF | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
ALD114835/ALD114935是高精度单片四/双耗尽型N沟道MOSFET,采用ALD成熟的EPAD CMOS技术在工厂进行匹配。这些器件适用于低电压、小信号应用。它们是常闭继电器应用的绝佳功能替代方案,因为在未施加电源时它们处于导通状态,但在系统电源开启时可以关断或进行调制。这些MOSFET具有独特特性,当栅极接地时,在低漏极电压时工作于电阻模式,在较高电压时工作于电流源模式,并提供恒定的漏极电流。
ALD114835/ALD114935 MOSFET经过精心设计,具备出色的器件电气特性匹配能力。由于这些器件集成在同一单片芯片上,它们还展现出优异的温度跟踪特性。它们用途广泛,可作为各种模拟应用的设计组件,如电流源、差分放大器输入级、传输门和多路复用器应用的基本构建模块。除了匹配对的电气特性外,每个单独的MOSFET也具有良好的参数控制,使用户能够依赖严格的设计限制。即使是不同批次和不同生产日期的产品,也具有相应良好匹配的特性。
这些耗尽型器件的设计旨在实现最小失调电压和差分热响应,适用于5V至±5V单电源系统中的开关和放大应用,在此类应用中,低输入偏置电流、低输入电容和快速开关速度是理想的特性。这些器件具有良好控制的关断和亚阈值特性,因此可用于依赖亚阈值特性的设计中。
ALD114835/ALD114935适用于需要非常高电流增益(β)的精密应用,如电流镜和电流源。在25°C时,当漏极电流为3mA、输入泄漏电流为30pA时,直流电流增益的示例计算结果为3mA / 30pA = 100,000,000。对于大多数应用,将V+引脚连接到系统中的最高正电压,将V-和IC引脚连接到最低负电压。所有其他引脚的电压必须始终保持在这些电压限制范围内。
商品特性
- 耗尽型(常开)
- 精确的栅极阈值电压:-3.50V ± 0.05V
- 在VGS = 0.0V时,标称RDS(ON)为540Ω
- MOSFET之间特性匹配
- 严格的批次间参数控制
- 低输入电容
- VGS(th)匹配(VOS) — 20mV
- 高输入阻抗 — 典型值为10^12Ω
- 正、零和负VGS(th)温度系数
- 直流电流增益 >10^8
- 低输入和输出泄漏电流
应用领域
- B型(常闭)继电器的功能替代
- 零功率故障安全电路
- 备用电池电路
- 电源故障检测器
- 故障安全信号检测器
- 源极跟随器和缓冲器
- 精密电流镜
- 精密电流源
- 电容探头
- 传感器接口
- 电荷检测器
- 电荷积分器
- 差分放大器输入级
- 高端开关
- 峰值检测器
- 采样保持电路
- 报警系统
- 电流倍增器
- 模拟开关
- 模拟多路复用器
- 电压比较器
- 电平转换器